Рефераты по Физике

Учебник по физике для поступающих в ВУЗ

Страница 78

В дальнейшем диффузия уменьшается, поскольку в электронно-дырочном переходе образуется препятствующая ей контактная разность потенциалов, называемая потенциальным барьером.

Его образование связано с наличием положительного и отрицательного пространственных зарядов в прилегающих к контактному слою областях.

Положительный заряд возникает со стороны электронной области полупроводника вследствие того, что там остаются ионизированные атомы доноров.

Отрицательный заряд образуется со стороны дырочной области ионизированными акцепторами.

В p-n-переходе образуется двойной электрический слой. Напряженность поля этого запирающего слоя направлена от n к p-полупроводнику (от плюса к минусу) и препятствует дальнейшему разделению зарядов.

Область с уменьшенным количеством носителей заряда называется запирающим слоем.

Запирающий слой – двойной слой разноименных электрических зарядов, создающий электрическое поле на p-n-переходе, препятствующее свободному разделению зарядов.

Если к p-n переходу приложить внешнее напряжение так, чтобы плюс источника был присоединен к электронной области (p), а минус – к дырочной (n), то полярности внешнего напряжения и контактной разности потенциалов совпадают.

Высота потенциального барьера возрастает, основные носителя заряда оттесняются внешним полем от границы перехода. Запирающий слой расширяется и его сопротивление увеличивается.

Под действием внешнего электрического поля указанной полярности электроны могут легко переходить из p области в n область, но в p области количество свободных электронов незначительно – оно обусловлено только собственной проводимостью полупроводника. С другой стороны, дырки легко могут переходить из n области в p область, но их количество в n области мало.

Через p-n переход потечет малый (обратный) ток, вызванный движением незначительного количества неосновных носителей заряда. Этот ток обусловлен собственной проводимостью полупроводника.

Напряжение указанной полярности называется обратным напряжением.

Если изменить полярность приложенного напряжения, то высота потенциального барьера уменьшится. Электроны в n области будут двигаться к границе, компенсируя положительные заряды доноров, а дырки в p области будут двигаться к границе, компенсируя отрицательные заряда акцепторов. Пограничные области обогащаются основными носителями заряда, запирающий слой сужается, его сопротивление уменьшается.

При уменьшении потенциального барьера большое количество избыточных электронов из n области под действием приложенного напряжения будет переходить в дырочную область. Аналогично дырки из p области будут переходить в электронную область. Через электронно-дырочный переход от p области к n области протекает большой ток, называемый прямым током.

Он создается движением большого количества основных носителей заряда, т.е. обусловлен примесной проводимостью.

Таким образом, переход между двумя полупроводниками с различного типа обладает односторонней проводимостью.

На рисунке показана вольтамперная характеристика такого перехода, из которой видным нелинейные свойства p-n-перехода.

Характеристика для прямого тока вначале имеет значительную нелинейность, так как при увеличении прямого напряжения сопротивление запирающего слоя уменьшается. Поэтому кривая идет со все большей крутизной. Но при напряжении в десятые доли вольта запирающий слой практически исчезает и остается только сопротивление n и р-областей, которое приближенно можно считать постоянным. Поэтому далее характеристика становится почти линейной.

Небольшая нелинейность здесь объясняется тем, что при увеличении тока n и р-области нагреваются и от этого их сопротивление уменьшается.

Обратный ток при увеличении обратного напряжения сначала быстро возрастает. Это вызвано тем, что уже при небольшом обратном напряжении за счет повышения потенциального барьера в переходе резко снижается диффузионный ток, который направлен навстречу току проводимости.

Следовательно, полный ток iобр=iдр-iдиф резко увеличивается.

Однако при дальнейшем повышении обратного напряжения ток растет незначительно. Рост тока происходит вследствие нагрева перехода, за счет утечки по поверхности, а также за счет лавинного размножения носителей заряда, т.е. увеличения числа носителей заряда в результате ударной ионизации.

Явление ударной ионизации состоит в том, что при высоком обратном напряжении электроны приобретают большую скорость и, ударяя в атомы кристаллической решетки, выбивают из них новые электроны, которые, в свою очередь, разгоняются полем и также выбивают из атомов электроны.

Такой процесс усиливается с повышением напряжения.

Обратный ток в сильной мере зависит от температуры.

Падение напряжения в прямом направлении от температуры зависит слабо.

При некотором значении обратного напряжения возникает пробой р-n-перехода, при котором обратный ток резко возрастает и сопротивление запирающего слоя резко уменьшается.

Следует различать электрический и тепловой пробой р-n-перехода.

Электрический пробой, области которого соответствует участок АБВ характеристики, является обратимым, т.е. при этом пробое в переходе не происходит необратимых изменений (разрушения структуры вещества). Поэтому работа в режиме электрического пробоя допустима.

Специальные диоды для стабилизации напряжения — полупроводниковые стабилитроны - работают на участке БВ характеристики.

Могут существовать два вида электрического пробоя, которые нередко сопутствуют друг другу: лавинный и туннельный.

Лавинный пробой объясняется лавинным размножением носителей за счет ударной ионизации и за счет вырывания электронов из атомов сильным электрическим полем. Этот пробой характерен для р-n-переходов большой толщины, получающихся при сравнительно малой концентрации примесей в полупроводниках. Пробивное напряжение для лавинного пробоя составляет десятки или сотни вольт.

Перейти на страницу:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27  28  29  30  31  32  33  34  35  36  37  38  39  40  41  42  43  44  45  46  47  48  49  50  51  52  53  54  55  56  57  58  59  60  61  62  63  64  65  66  67  68  69  70  71  72  73  74  75  76  77  78  79  80  81  82  83  84  85  86  87  88  89  90  91  92  93  94  95  96  97  98  99  100