Рефераты по Физике

Общая Физика

Страница 14

®

I

I a

® a1 ®

dl1(X)FЛ dl2(*) FЛ ®

® a2 B

I

dF1 = I dl1B sina1 = IB dh

dF2 = I dl2B sina2 = IB dh

dM = dF*a = Iba dh = IB dS

M = ISB = PMB

® ® ®

M = [PM B]

dA = M da = PMB sina da

dA = dWp

A = Wp = 0òaM da = -PMB cosa + const – потенциальная энергия контура с током в магнитном поле.

a = p/2 ® Wp = const = 0

Wp = -PMB cosa = -(PM B)

41. Работа по перемещению контура с током в магнитном поле:

®

I

®

+ I

l

¾ ® FA

(X) B

®

I dx

dA = FA dx = IB (l dx) = IB dS = I dФ;

dФ – поток магнитной индукции, пересекаемый проводником.

Если В (вектор) не ^ контуру, то

dA = Ibl cosa dx = IBn dS = I dФ, т.к.

dФ = B dS = B cosa dS = Bn dS

На совершение работы идет ресурс источника тока, его ЭДС.

Индукционный поток направлен противоположно току I.

1 2

® ®

I I

ФН ® Ф0 ФК

(X) B

2 2

A1 = I (ФН – Ф0)

А2 = I (Ф0 – ФK) (?)

A = A1 + A2 = I (ФК – ФН) = I DФ.

®

I

®

(X) B

A = -IBS – IBS = -2IBS.

42. Магнитное поле в веществе:

Первоначально поле в вещ-ве рассматривалось как поле от микротоков.

Движение зарядов обуславливает магнитный момент и они рассматриваются как некая система.

® ® ®

B = B0 + B’.

Введем вектор, характеризующий магнитные св-ва и связанный с (i=1åNPMi)/DV:

®

J = (i=1åNPMi)/DV

[ J ] = A/м;

J = c H, где c - магнитная восприимчивость.

cУД = c/r = [м 3/кг], где r - плотность вещ – ва.

cМОЛ = c*nКмоль [м3/Кмоль].

44. Описание магнитного поля в магнетике:

Существует 3 класса магнетиков:

1) Диамагнетики (cМОЛ < 0, 10¾7¸10¾8 (м3/Кмоль));

2) Парамагнетики (cМОЛ > 0, 10¾6¸10¾7 (м3/Кмоль));

3) Ферромагнетики (cМОЛ < 0, 103¸104 (м3/Кмоль)).

Электрическое поле в веществе может только ослабляться. В магнитном поле оно либо усиливается, либо ослабляется.

® ® ® ® ®

H = B/m0 – J = B/m0 - cH

® ®

H(1 + c) = B/m0

® ®

H = B/(m0m); m = 1 + c.

Внесем в магнитное моле магнетик:

®

B0

(X)(X)

(X)(X)

(X)(X) B’

dl микротоки

® ® ®

B = B0 + B’

B’ = m0*Il

dPM = Il*S*dl

dPM/dV = J = Il

® ® ®

B = B0 + m0J

® ® ® ® ®

H = B/m0 – J = B0/m0 = H0 (теоретически)

® ® ®

H = H0 – H0, где Н0 – размагничивающее поле;

® ®

H0 = N*J (фактор размагничивания)

N = 1 для тонкого диска;

N = 1/3 для шарика.

Если однородный магнетик помещается во внешнее однородное поле, то внутреннее поле магнетика так – же будет однородным.

Перейти на страницу:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21