Магнетронные распылительные системы
Рисунок 2.4 – Зависимости скорости осаждения различных материалов от мощности разряда (а) и мощности разряда от рабочего давления при различной индукции магнитного поля (б)
Важным параметром разряда, определяющим скорость распыления, является электрическая мощность, причем скорость осаждения пленки почти линейно зависит от приложенной мощности. (смотри рисунок 2.4а) [3]. В свою очередь мощность разряда при постоянной мощности источника зависит от p и В. В достаточно слабых магнитных полях существует такое значение p, при котором на разряде выделяется максимальная мощность (смотри рисунок 2.4б). С ростом В ( до 0.04 Тл) при низких значениях p мощность разряда сначала резко возрастает, затем замедляется и при В=0,08¸0,1 Тл становится максимальной. При достаточно высоком p максимальная мощность достигается уже при В=0, 04¸0,06 Тл (смотри рисунок 2.5а).
Рисунок 2.5 – Зависимости мощности разряда от индукции магнитного поля при различном давлении аргона (а); и напряжения зажигания от давления при постоянной индукции магнитного поля 0,06 Тл (кривая 1) и индукции магнитного поля при постоянном давлении (кривая 2) (б)
Напряжение зажигания в магнетронной системе значительно ниже, чем в обычных диодных системах. Это объясняется тем, что еще до наложения электрического поля электроны, всегда присутствующие в рабочей камере и обеспечивающие первые акты ионизации в развитии лавинного пробоя газового промежутка , захватываются магнитной ловушкой, вследствие чего их концентрация в этой области оказывается выше, чем в объеме камеры, что и способствует возникновению разряда при более низких напряжениях. Исследования [3, 6, 12] показали, что зависимости напряжения зажигания от давления рабочего газа и индукций магнитного поля аналогичны (смотри рисунок 2.5б). Сходство приведенных зависимостей указывает на тот факт, что магнитное поле и рабочее давление оказывают одинаковое влияние на возникновение и развитие разряда в МРС. Как видно из приведенных выше зависимостей, эффективность работы магнетронной распылительной системы зависит от правильного выбора рабочих параметров, а стабильность этих параметров определяет постоянство скорости осаждения пленки и воспроизводимость свойств получаемых пленок. Необходимая скорость осаждения пленки в магнетронной системе с достаточной точностью можно поддерживаться за счет постоянства таких параметров процесса, как ток разряда или подводимая мощность. Эти функции может выполнять источник питания, благодаря чему управление конечной толщиной пленки достигается, если задается время осаждения. Однако можно управлять ростом пленки с помощью прямых методов контроля, например с помощью кварцевого датчика, поскольку плазма в магнетронной системе локализована и не воздействует на датчик. [1]. Как показывает практика, для обеспечения воспроизводимости и стабильности процесса напыления пленки ток разряда необходимо поддерживать с точностью ±2%, а при стабилизации процесса по мощности разряда точность ее поддержания составляет ±20 Вт в диапазоне регулирования от 0 до 10 кВт. При этом рабочее давление должно быть постоянным (отклонение не должно превышать ±5%).
3 Конструкции магнетронных распылительных систем
Конструкции современных магнетронных распылительных систем весьма разнообразны. Прообразом их является устройство, изображенное на рисунке 3.1 а и описанное в [3]. Катод представляет собой цилиндрический стержень, расположенный в центре камеры, а подложки располагаются по цилиндрической поверхности анода вокруг катода. Коаксиальные конструкции электродов, имея в основном аналогичные с планарными конструкциями рабочие характеристики, позволяют значительно увеличить (в 3 – 5 раз) производительность за счет увеличения площади одновременно обрабатываемых подложек. Кроме того, в этих системах на порядок меньше интенсивность бомбардировки подложек вторичными электронами., что достигается наличием аксиального магнитного поля и заземленных экранов по торцам цилиндрического катода. Еще более снижает бомбардировку подложек вторичными электронами наличие между катодом и держателем подложек цилиндрического сетчатого анода. При длительной работе температура подложек в такой системе не превышает 320 К. Но в то же время из-за сетчатого анода (улавливающего электрода) уменьшается скорость осаждения пленки.
Усовершенствование коаксиальных систем в целях увеличения скорости осаждения привело к созданию катода в виде катода с дисками по торцам (смотри рисунок 3.1, б). Такая конструкция позволяет значительно увеличить интенсивность разряда благодаря осцилляции электронов вдоль поверхности катода между его торцевыми дисками, достичь плотностей тока 300 А/м2 и скоростей осаждения до 17 нм/с. Однако существенным недостатком этой системы является низкая равномерность распределения пленки по толщине, связанная с неравномерным распылением мишени: более сильным в центральной части и слабым у торцевых дисков, что обусловливается неравномерным распределением плотности ионного тока вдоль поверхности мишени. Исследования характеристик такой системы и их зависимости от геометрии катода приведены в [3].
Наиболее эффективными магнетронными системами коаксиального типа являются конструкции, приведенные на рисунке 3.1 в, г. Катод из распыляемого материала выполняется в виде трубы (при этом распыляется внешняя поверхность катода, смотри рисунок 3.1 в), либо вокруг нее (распылению подвергается внутренняя поверхность катода, смотри рисунок 3.1 г). Плазма локализуется у распыляемой поверхности с помощью кольцевого арочного магнитного поля.
Рисунок 3.1 – Конструктивные схемы магнетронных систем распыления:
1– катод-мишень; 2 – анод; 3 – подложкодержатель; 4 – магнитная система; 5 – экран; 6 – зона распыления. (Стрелками показано напраление силовых линий магнитного поля.)
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7