Исследование систем возбуждения эксимерных лазеров на основе LC-контура
Дополнительная информация о поведении электронных термов автораспадных состояний (НС1-)** следует из анализа колебательного возбуждения молекулы НС1 электронным ударом [29]. Сечение этого процесса имеет острый максимум вблизи порога процесса (18), который по порядку величины равен 10-15 см2, и второй широкий максимум наблюдается при энергии электрона около 2,5 эВ.
Положения нижних электронных термов молекул и ионов
а ) б)
Положение термов молекулы HCl и иона HCl- – а.
Положение термов молекулы Cl2 и иона Cl-2 – б.
Рис.13
Такой характер колебательного возбуждения молекулы подтверждает существование двух автораспадных термов (НС1-)** [29], которые имеют симметрию 2Σ. Константа скорости для детально противоположного процесса по отношению к (18)
Н- + С1 → е + НС1 (19)
равна 9,6∙10-10 см3/с при комнатной температуре [29]. По порядку величины это совпадает с константой скорости поляризационного захвата отрицательного иона водорода атомом хлора, которая равна 2∙10-9 см3 с-1. Согласно [29] этот процесс ведет главным образом к заселению колебательного состояния v = 2 образуемой молекулы НС1. Из сравнения интенсивностей излучательных переходов между колебательно возбужденными молекулами видно, что отношение парциальных констант скоростей процессов с образованием молекулы НС1 в колебательных состояниях v = 2 и v = 1 составляет 5:3. Таким образом, из разных данных следует, что пересечение электронных термов для основного электронного состояния молекулы НС1 и нижнего автораспадного состояния (НС1-)** происходит вблизи точки поворота для второго колебательного состояния молекулы НС1, что влияет на характер процесса (18).
Процесс прилипания электронов к двухатомным молекулам галогенов типа X2
е + Х2 → (Х-2)** → Х- + Х (20)
энергетически выгоден при нулевой температуре. Но возможность этого процесса зависит от положения автораспадных термов. На рис.13,б приведены нижние электронные термы автораспадных состояний для Сl-2 вместе с электронным термом основного состояния С12. Основное состояние отрицательного молекулярного иона Сl-2 при больших расстояниях между ядрами отвечает состоянию С1(2Р) + C1-(1S), так что имеется четыре нижних электронных терма отрицательного молекулярного иона Сl-2 с симметрией 2Σ+u, 2Пg, 2Пu, 2Σ+g, перечисленные в порядке возрастания их энергии. Электронный терм 2Σ+u отвечает стабильному состоянию отрицательного молекулярного иона. Можно связать положения этих термов с положениями резонансов в сечении прилипания электрона к молекуле галогена, как это сделано в табл. 1.
Табл.1. Положения резонансов (Эв) для термов автораспадных состояний
|
Терм |
F2 |
Cl2 |
Br2 |
I2 |
|
2Σ+u |
0.09 |
- |
- |
- |
|
2Пg |
4 |
0.03 |
0.07 |
0.05 |
|
2Пu |
7 |
2.5 |
1.4 |
0.9 |
|
2Σ+g |
10 |
5.5 |
3.7 |
2.5 |
Как видно, за исключением молекулы фтора, основной терм молекулярного иона не пересекается с термом основного состояния молекулы согласно [29].Из данных представленных в табл.3 следует, что сечение захвата электрона молекулами Сl2, Вг2 и I2 должно быть меньше, чем в случае молекулы F2. Это противоречит некоторым экспериментам, так что поведение термов в соответствии с данными табл. 8 требует дополнительной проверки.
В табл.2 содержатся энергетические параметры и константа скорости процессов (18) и (19) при тепловых столкновениях
Табл.2. Константа скорости прилипания электрона kat к
молекулам галогенов в области температур 300 – 350
|
Молекула |
Энергия сродства молекулы к электрону (Эв) |
Энергия сродства атома галогенида к электрону (Эв) |
kat, 10-10 см3/с |
|
HCl(ν=0) |
- |
3.62 |
1-6 |
|
HCl(ν=1) |
- |
3.62 |
30-60 |
|
HCl(ν=2) |
- |
3.62 |
300-800 |
|
F2 |
3 |
3.4 |
30-70 |
|
Сl2 |
2.4 |
3.62 |
2-37 |
|
Вг2 |
2.5 |
3.36 |
0.008-1.3 |
|
I2 |
2.5 |
3.06 |
1.4-92 |
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10