Рефераты по Физике

Исследование систем возбуждения эксимерных лазеров на основе LC-контура

Страница 7

Дополнительная информация о поведении электронных термов автораспадных состояний (НС1-)** следует из анализа колебательного возбуждения молекулы НС1 электронным ударом [29]. Сечение этого процесса имеет острый максимум вблизи порога процесса (18), который по порядку величины равен 10-15 см2, и второй широкий максимум наблюдается при энергии электрона около 2,5 эВ. Недвижимость Островцы Раменский район. Объявлений купить дом в Островцах zem-msk.ru.

Положения нижних электронных термов молекул и ионов

а ) б)

Положение термов молекулы HCl и иона HCl- – а.

Положение термов молекулы Cl2 и иона Cl-2 – б.

Рис.13

Такой характер колебательного возбуждения молекулы подтверждает существование двух автораспадных термов (НС1-)** [29], которые имеют симметрию 2Σ. Константа скорости для детально противоположного процесса по отношению к (18)

Н- + С1 → е + НС1 (19)

равна 9,6∙10-10 см3/с при комнатной температуре [29]. По порядку величины это совпадает с константой скорости поляризационного захвата отрицательного иона водорода атомом хлора, которая равна 2∙10-9 см3 с-1. Согласно [29] этот процесс ведет главным образом к заселению колебательного состояния v = 2 образуемой молекулы НС1. Из сравнения интенсивностей излучательных переходов между колебательно возбужденными молекулами видно, что отношение парциальных констант скоростей процессов с образованием молекулы НС1 в колебательных состояниях v = 2 и v = 1 составляет 5:3. Таким образом, из разных данных следует, что пересечение электронных термов для основного электронного состояния молекулы НС1 и нижнего автораспадного состояния (НС1-)** происходит вблизи точки поворота для второго колебательного состояния молекулы НС1, что влияет на характер процесса (18).

Процесс прилипания электронов к двухатомным молекулам галогенов типа X2

е + Х2 → (Х-2)** → Х- + Х (20)

энергетически выгоден при нулевой температуре. Но возможность этого процесса зависит от положения автораспадных термов. На рис.13,б приведены нижние электронные термы автораспадных состояний для Сl-2 вместе с электронным термом основного состояния С12. Основное состояние отрицательного молекулярного иона Сl-2 при больших расстояниях между ядрами отвечает состоянию С1(2Р) + C1-(1S), так что имеется четыре нижних электронных терма отрицательного молекулярного иона Сl-2 с симметрией 2Σ+u, 2Пg, 2Пu, 2Σ+g, перечисленные в порядке возрастания их энергии. Электронный терм 2Σ+u отвечает стабильному состоянию отрицательного молекулярного иона. Можно связать положения этих термов с положениями резонансов в сечении прилипания электрона к молекуле галогена, как это сделано в табл. 1.

Табл.1. Положения резонансов (Эв) для термов автораспадных состояний

Терм

F2

Cl2

Br2

I2

2Σ+u

0.09

-

-

-

2Пg

4

0.03

0.07

0.05

2Пu

7

2.5

1.4

0.9

2Σ+g

10

5.5

3.7

2.5

Как видно, за исключением молекулы фтора, основной терм молекулярного иона не пересекается с термом основного состояния молекулы согласно [29].Из данных представленных в табл.3 следует, что сечение захвата электрона молекулами Сl2, Вг2 и I2 должно быть меньше, чем в случае молекулы F2. Это противоречит некоторым экспериментам, так что поведение термов в соответствии с данными табл. 8 требует дополнительной проверки.

В табл.2 содержатся энергетические параметры и константа скорости процессов (18) и (19) при тепловых столкновениях

Табл.2. Константа скорости прилипания электрона kat к

молекулам галогенов в области температур 300 – 350

Молекула

Энергия сродства молекулы к электрону (Эв)

Энергия сродства атома галогенида к электрону (Эв)

kat, 10-10 см3/с

HCl(ν=0)

-

3.62

1-6

HCl(ν=1)

-

3.62

30-60

HCl(ν=2)

-

3.62

300-800

F2

3

3.4

30-70

Сl2

2.4

3.62

2-37

Вг2

2.5

3.36

0.008-1.3

I2

2.5

3.06

1.4-92

Перейти на страницу:  1  2  3  4  5  6  7  8  9  10