Транзисторы - Курсовая работа
Обычно коэффициент Fш измеряется га частоте 1000 Гц. При указанных выше режимах современные низкочастотные транзисторы на этой частоте могут иметь коэффициент шума от 3 – 5дб до 30 – 35дб. Высокочастотные транзисторы имеют намного меньше коэффициент шума, который в среднем составляет 6 – 10дб.
Полевые транзисторы.
Общие сведения
Униполярный (полевой) транзистор представляет собой полупроводниковый трёхэлектродный прибор, в котором управление током, создаваемым направленным движением носителей заряда одного знака между двумя электродами, достигается с помощью напряжения (электрического поля), приложенного к третьему электроду. Электроды, между которыми протекает рабочиё ток, носят названия истока и стока, причём истоком считается тот электрод, через которые носители втекают в прибор. Третий электрод называется затвором. Изменение величины рабочего тока в униполярном транзисторе осуществляется путём изменения эффективного сопротивления токопроводящего участка, полупроводникового материала между истоком и стоками называемого каналом. В зависимости от типа проводимости полупроводникового материала канала различают униполярные транзисторы с p и n каналом. В качестве исходного материала обычно используются кремний и германий, вследствие чего одни полярные транзисторы называются кремниевыми, другие – германиевыми.
То обстоятельство, что управление величиной рабочего тока униполярных транзисторов осуществляется с помощью канала, дало им второе наименование – канальные транзисторы. Третье название того же самого полупроводникового прибора – полевой транзистор характеризует то, что управление рабочим током осуществляется электрическим полем (напряжением), а не электрическим током, как это имеет место в биполярном транзисторе. Эта последняя особенность униполярных транзисторов, дающая возможность получать очень высокое входное сопротивление приборов, исчисляемое десятками и сотнями мегом, и определила их основное распространённое название – полевые транзисторы. Это название широко используется в научно – технической и радиолюбительской литературе.
Следует отметить, что среди полевых транзисторов различаются два основных вида приборов – полевые транзисторы с p – n переходом между затвором и каналом и полевые транзисторы с изолированным затвором. Это различие обусловлено, с одной стороны, особенностями их изготовления, а с другой – своеобразием электрических характеристик и схем включения.
Принцип действия и устройство
полевого транзистора с p – n переходом
Примесь n типа заряд (З) Рис 1. Продольный
Исток (И) Сток (С) разрез полевого
транзистора с p
каналом и p – n
переходом.
Кристалл p типа
Канал
p– n переход
На рис.1 приведено условное схематическое изображение продольного разреза полевого транзистора с p каналом и p – n переходом. Как видно из этого рисунка, основой является малозаметная пластина полупроводника определённой проводимости ( в данном случае p типа), имеющая на противоположных концах два контакта, исток и сток, обозначённые сокращённо буквами И и С. Толщина пластинки в месте установки третьего электрода – затвора делается очень и очень малой, равной всего нескольким единицам или десяткам микрон. Электронно – дырочный переход получается путём вплавливания или диффузии соответствующей примеси, а управление сопротивлением канала производится за счёт изменения объёма канала полупроводника обеднённого основными носителями или подаче запирающего напряжения на переход. Изменение сопротивления приводит к изменению тока через транзистор. На рис. 1 область, обеднённая носителями, ограничена пунктирной линией.
Перейти на страницу: 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13